重生千禧大玩家 第780节 (第5/6页)

已经无法满足读取需求，因此不断缩微的dram架构演变技术路线有两条，一种是沟槽式，一种是堆叠式。

    原理都是用空间结构的变化，得到更大的表面积。前者是在晶体管下面挖沟槽，工艺相对复杂，但单元所占的面积更小，功耗更低。

    后者是把电容叠加在晶体管上面，用内表面、外表面这两面当作电容，工艺相对简单。

    如果沟槽式是现在，堆叠式就是未来！

    “像奇梦达这种埋入式字线结构，由于动态随机存储芯片的制程微缩，字线的结构也会不断缩小。”朱一鸣拿出纸笔，在纸上写写画画，“还有，电子迁移率衰减、饱和速度都会限制驱动电流的提高，今后要改善性能也会非常困难。”

    “有问题就要解决，你们怎么解决？”

    陆飞盯着纸，打起十二分精神。

    “我们暂时讨论出2种，最可行的就是推出全新的半导体存储器件结构，从根本上改善动态随机存储芯片性能。”

    朱一鸣抖落而出：“就是把两条埋入式字线结构分别设置在锗硅弛豫层填充沟槽内的有源区，弛豫侧壁会对里边的有源区产生应力，就能提高沟道内部电子的迁移率，另外……”

    “瞧瞧，这个就叫专业。”

    陆飞看向高启全，相视一笑。

    高启全欣然同意，“我来长江存储，第一是陆总，第二就是朱总这帮青年才俊，年纪轻轻就在3d闪存、nor闪存和dram内存三个领域开花结果，在我接触的人当中，也就只有台积电